Etude Et Simulation des propriétés électriques des Jonctions Métal Semi-Conducteur Réalisation des Contacts : Al-Mono Si(P) - Al-Poly Si(N) par la technique d’évaporation thermique et Mesure de la résistivité du contact

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://hdl.handle.net/123456789/869

Affichage complet

Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	MOUGARI, AHMED	-
dc.date.accessioned	2014-12-11T11:32:54Z	-
dc.date.available	2014-12-11T11:32:54Z	-
dc.date.issued	2010-12-15	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/869	-
dc.description.abstract	Le Contact Métal Semi-conducteur est le plus ancien dispositif électronique réalisé, les premières observations remontent en effet à 1874 par [F. BRAUN 1874] [41] avant l’apparition de la mécanique quantique.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.subject	VLSI ,P-N,I-V	en_US
dc.title	Etude Et Simulation des propriétés électriques des Jonctions Métal Semi-Conducteur Réalisation des Contacts : Al-Mono Si(P) - Al-Poly Si(N) par la technique d’évaporation thermique et Mesure de la résistivité du contact	en_US
dc.type	Video	en_US
Collection(s) :	Mémoires de magister physique 2010

Fichier(s) constituant ce document :

Fichier	Description	Taille	Format
Résumé du mémoire.pdf	Résumé du mémoire	282,53 kB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir