Etude Et Simulation des propriétés électriques des Jonctions Métal Semi-Conducteur Réalisation des Contacts : Al-Mono Si(P) - Al-Poly Si(N) par la technique d’évaporation thermique et Mesure de la résistivité du contact

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://hdl.handle.net/123456789/869

Titre:	Etude Et Simulation des propriétés électriques des Jonctions Métal Semi-Conducteur Réalisation des Contacts : Al-Mono Si(P) - Al-Poly Si(N) par la technique d’évaporation thermique et Mesure de la résistivité du contact
Auteur(s):	MOUGARI, AHMED
Mots-clés:	VLSI ,P-N,I-V
Date de publication:	15-déc-2010
Résumé:	Le Contact Métal Semi-conducteur est le plus ancien dispositif électronique réalisé, les premières observations remontent en effet à 1874 par [F. BRAUN 1874] [41] avant l’apparition de la mécanique quantique.
URI/URL:	http://hdl.handle.net/123456789/869
Collection(s) :	Mémoires de magister physique 2010

Fichier(s) constituant ce document :

Fichier	Description	Taille	Format
Résumé du mémoire.pdf	Résumé du mémoire	282,53 kB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir