Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
http://hdl.handle.net/123456789/739Affichage complet
| Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | كاملة, مليكة | - |
| dc.contributor.author | قرطالي, ربيعة | - |
| dc.date.accessioned | 2014-03-05T10:24:57Z | - |
| dc.date.available | 2014-03-05T10:24:57Z | - |
| dc.date.issued | 2010-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/739 | - |
| dc.language.iso | other | en_US |
| dc.subject | transistor, Transfer Resistor, bipolar | en_US |
| dc.subject | مقاومة التحويل , ثنائي القطبية , ترونزيستور | en_US |
| dc.title | (BC108A) دراسة الخواص السكونية و الدينامكية للترانزيستور ثنائي الوصلة مثال | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| Collection(s) : | Mémoires de licence | |
Fichier(s) constituant ce document :
| Fichier | Description | Taille | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ملخص المذكرة.pdf | ملخص المذكرة | 257,94 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.
